三星宣布聯(lián)合發(fā)現(xiàn)一種叫做無定形氮化硼(a-BN)的新材料。三星高級技術研究所(SAIT)的研究人員與蔚山國家科學技術研究所(UNIST)和劍橋大學合作做出了這一發(fā)現(xiàn)。合作者在《自然》雜志上發(fā)表了他們的發(fā)現(xiàn)，并相信這種材料將“加速下一代半導體的到來”。

三星在解釋新發(fā)現(xiàn)的無定形氮化硼時表示，它是由具有無定形分子結構的硼和氮原子組成的。據(jù)這家韓國公司介紹，這種新材料來源于白色石墨烯，但不同的分子結構讓a-BN和白色石墨烯“獨一無二”。

三星表示，a-BN有望廣泛應用于DRAM和NAND解決方案，因為它可以最大限度地減少電干擾，并且可以在400的相對較低溫度下在晶圓級生長.

石墨烯項目負責人、SAIT首席研究員申惠真(Shin Hyeon-Jin Shin)對材料發(fā)表了評論：

為了增強石墨烯與硅基半導體技術的兼容性，應在低于400的溫度下在半導體襯底上進行晶圓級石墨烯生長，我們將繼續(xù)努力將石墨烯的應用拓展到半導體以外的領域。"

該公司沒有透露何時開始在硬件產(chǎn)品中使用這種新材料，但表示將在半導體的下一代存儲解決方案中應用于半導體，尤其是DRAM和NAND解決方案，尤其是大型服務器。

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標簽:半導體三星。

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