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    三星發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體新材料

    三星宣布聯(lián)合發(fā)現(xiàn)一種叫做無定形氮化硼(a-BN)的新材料。三星高級技術(shù)研究所(SAIT)的研究人員與蔚山國家科學(xué)技術(shù)研究所(UNIST)和劍橋大學(xué)合作做出了這一發(fā)現(xiàn)。合作者在《自然》雜志上發(fā)表了他們的發(fā)現(xiàn),并相信這種材料將“加速下一代半導(dǎo)體的到來”。

    三星發(fā)現(xiàn)用于半導(dǎo)體的新材料

    三星在解釋新發(fā)現(xiàn)的無定形氮化硼時表示,它是由具有無定形分子結(jié)構(gòu)的硼和氮原子組成的。據(jù)這家韓國公司介紹,這種新材料來源于白色石墨烯,但不同的分子結(jié)構(gòu)讓a-BN和白色石墨烯“獨一無二”。

    三星表示,a-BN有望廣泛應(yīng)用于DRAM和NAND解決方案,因為它可以最大限度地減少電干擾,并且可以在400的相對較低溫度下在晶圓級生長.

    石墨烯項目負(fù)責(zé)人、SAIT首席研究員申惠真(Shin Hyeon-Jin Shin)對材料發(fā)表了評論:

    為了增強石墨烯與硅基半導(dǎo)體技術(shù)的兼容性,應(yīng)在低于400的溫度下在半導(dǎo)體襯底上進(jìn)行晶圓級石墨烯生長,我們將繼續(xù)努力將石墨烯的應(yīng)用拓展到半導(dǎo)體以外的領(lǐng)域。"

    該公司沒有透露何時開始在硬件產(chǎn)品中使用這種新材料,但表示將在半導(dǎo)體的下一代存儲解決方案中應(yīng)用于半導(dǎo)體,尤其是DRAM和NAND解決方案,尤其是大型服務(wù)器。

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    標(biāo)簽:半導(dǎo)體三星。

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