ddr3和ddr2的區(qū)別圖片(DDR和DDR2,DDR3的區(qū)別以及如何從外觀上分辨出來(圖文))
發(fā)布日期:2022-07-02 11:00:07 來源: 編輯:
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DDR2內(nèi)存單面金手指120個(gè)(雙面240個(gè)),缺口左邊為64個(gè)針腳,缺口右邊為56個(gè)針腳;
DDR3內(nèi)存單面金手指也是120個(gè)(雙面240個(gè)),缺口左邊為72個(gè)針腳,缺口右邊為48個(gè)針腳.
2、DDR內(nèi)存的顆粒為長(zhǎng)方形
DDR2和DDR3內(nèi)存的顆粒為正方形,而且體積大約只有DDR內(nèi)存顆粒的三分之一
3、使用電壓不同
DDR2的電壓1.8V
DDR3的電壓1.5V
參數(shù)不同之處
電壓 VDD/VDDQ
2.5V/2.5V
1.8V/1.8V(±0.1)
1.5V/1.5V(±0.075)
I/O接口
SSTL_25
SSTL_18
SSTL_15
數(shù)據(jù)傳輸率(Mbps)
200~400
400~800
800~2000
容量標(biāo)準(zhǔn)
64M~1G
256M~4G
512M~8G
Memory Latency(ns)
15~20
10~20
10~15
CL值
1.5/2/2.5/3
3/4/5/6
5/6/7/8
預(yù)取設(shè)計(jì)(Bit)
2
4
8
邏輯Bank數(shù)量
2/4
4/8
8/16
突發(fā)長(zhǎng)度
2/4/8
4/8
8
封裝
TSOP
FBGA
FBGA
引腳標(biāo)準(zhǔn)
184Pin
240Pin
240Pin
本文到此結(jié)束,希望對(duì)大家有所幫助。
標(biāo)簽: DDR和DDR2 DDR3的區(qū)別以及如何從外觀上分辨出來(圖文)