微電子行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化組織JEDEC已宣布發(fā)布JESD79-5 DDR5 SDRAM標(biāo)準(zhǔn)。JEDEC表示，該標(biāo)準(zhǔn)可以滿足對(duì)云和數(shù)據(jù)密集型企業(yè)數(shù)據(jù)中心對(duì)高性能存儲(chǔ)的不斷增長(zhǎng)的需求。新內(nèi)存將使性能提高一倍，并顯著提高能源效率。JESD79-5 DDR5已經(jīng)可以從JEDEC網(wǎng)站下載。

該新標(biāo)準(zhǔn)建立在前幾代DDR的基礎(chǔ)上，旨在通過在將數(shù)據(jù)包長(zhǎng)度增加一倍到BL16并將存儲(chǔ)體的數(shù)量從16個(gè)增加到32個(gè)的同時(shí)，在不犧牲通道效率的前提下擴(kuò)展內(nèi)存性能，而不會(huì)提高通道效率。此外，DDR5 DIMM有兩個(gè)一個(gè)模塊中具有1位完全獨(dú)立的子通道，以提高效率和可靠性。

DFE(決策反饋均衡)等新功能可提供可擴(kuò)展的I / O速度，以實(shí)現(xiàn)更高的吞吐量和更高的性能。DDR5內(nèi)存支持DDR4帶寬的兩倍。預(yù)計(jì)首批DDR5內(nèi)存每通道可提供4.8Gbps的速度，比標(biāo)準(zhǔn)DDR4 3.2Gbps的最高速度快50%。

DDR5的其他優(yōu)點(diǎn)包括改進(jìn)的再生，內(nèi)置的ECC功能，將Vdd電壓從1.2 V降低到1.1 V，以及將MIPI Alliance I3C Basic規(guī)范用于系統(tǒng)控制總線。在DIMM層上添加的穩(wěn)壓器可提供可擴(kuò)展性，更寬的電壓容差以及進(jìn)一步降低功耗的能力。

JEDEC沒有指定DDR5 DIMM何時(shí)上市。

　　免責(zé)聲明：本文由用戶上傳，與本網(wǎng)站立場(chǎng)無關(guān)。財(cái)經(jīng)信息僅供讀者參考，并不構(gòu)成投資建議。投資者據(jù)此操作，風(fēng)險(xiǎn)自擔(dān)。 如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除！