場效應(yīng)管（說一說場效應(yīng)管的簡介）
發(fā)布日期：2023-04-23 22:30:05 來源： 編輯：
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1、場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。
2、主要有兩種類型（junction FET—JFET)和金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。
3、由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。
4、它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。
5、具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
6、場效應(yīng)管（FET）是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，并以此命名。
7、由于它僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，又稱單極型晶體管。
8、FET 英文為Field Effect Transistor，簡寫成FET。
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標(biāo)簽： 場效應(yīng)管
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