大家好，慧慧來(lái)為大家解答以上問(wèn)題，內(nèi)存時(shí)序，內(nèi)存時(shí)序很多人還不知道，現(xiàn)在讓我們一起來(lái)看看吧！

1、 內(nèi)存時(shí)序？是怎樣建立內(nèi)存時(shí)序？的

2、 內(nèi)存時(shí)序簡(jiǎn)介

3、 內(nèi)存時(shí)序是描述內(nèi)存模塊性能的參數(shù)，一般存儲(chǔ)在內(nèi)存模塊的SPD中。

4、 一般數(shù)字“A-B-C-D”對(duì)應(yīng)的參數(shù)是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，其含義如下：CAS潛伏期(簡(jiǎn)稱CL值)記憶CAS潛伏期，是記憶的重要參數(shù)之一。有些品牌的內(nèi)存會(huì)在內(nèi)存的標(biāo)簽上打印CL值；RAS-to-CAS Delay(tRCD)，存儲(chǔ)器行地址傳輸?shù)搅械刂返难舆t時(shí)間；RAS預(yù)充電延遲(tRP)，存儲(chǔ)器行地址選通cas等待時(shí)間；有效延遲(tras)，存儲(chǔ)器行地址的選通延遲。這是玩家最關(guān)心的四個(gè)時(shí)序調(diào)整，大部分主板的BIOS中都可以設(shè)置。內(nèi)存模塊制造商還計(jì)劃推出低于JEDEC認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)的低延遲超頻內(nèi)存模塊。在相同頻率設(shè)置下，“2-2-2-5”最低序列時(shí)序的內(nèi)存模塊確實(shí)可以帶來(lái)比“3-4-4-8”更高的內(nèi)存性能，幅度在3到5個(gè)百分點(diǎn)。

5、 內(nèi)存時(shí)序參數(shù)介紹

6、 存取時(shí)序

本文講解到此結(jié)束，希望對(duì)大家有所幫助。

　　免責(zé)聲明：本文由用戶上傳，與本網(wǎng)站立場(chǎng)無(wú)關(guān)。財(cái)經(jīng)信息僅供讀者參考，并不構(gòu)成投資建議。投資者據(jù)此操作，風(fēng)險(xiǎn)自擔(dān)。 如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除！