大家好，小常來(lái)為大家解答以上問(wèn)題。tegra4，truddr4內(nèi)存和ddr4的區(qū)別很多人還不知道，現(xiàn)在讓我們一起來(lái)看看吧！

1，truddr4內(nèi)存和ddr4的區(qū)別：內(nèi)存得速度上除了工作頻率外，還有內(nèi)存的各種延遲，一般來(lái)說(shuō)，延遲越小內(nèi)存性能越好。對(duì)內(nèi)存影響較大得延遲有CommandRate，CAS,TRCD,TRP,TRAS。在同樣都是2200MHz的工作頻率下，DDR4代的各項(xiàng)延遲能被設(shè)置的更小，性能當(dāng)然也比DDR3高。另外，DDR4代內(nèi)存的制成要比DDR3代進(jìn)步，發(fā)熱也比DDR3代的低。值得說(shuō)得是，在整機(jī)中并不是內(nèi)存的性能越好越好。因?yàn)樵谡麢C(jī)中還存在各個(gè)配件的數(shù)據(jù)交換帶寬，比如說(shuō)前端總線等。若前端總線為1800MHz那么只要800MHz的雙通道內(nèi)存或1600MHz的單通道內(nèi)存就夠了，比這還高的內(nèi)存不能完全發(fā)揮他的性能。這也是Inter在新的Nehalem構(gòu)架中拋棄FSB總線而采用更高速的QPI總線的原因。

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