機構(gòu)：鎧俠及西部數(shù)據(jù)產(chǎn)能利用率將恢復至 88%，帶動 2024 年 NAND 閃存產(chǎn)量增長 10.9%
哈嘍,阿瀾今天發(fā)現(xiàn)不少朋友對于機構(gòu)：鎧俠及西部數(shù)據(jù)產(chǎn)能利用率將恢復至 88%，帶動 2024 年 NAND 閃存產(chǎn)量增長 10.9%,這個還不是很了解，那么現(xiàn)在讓我們一起來看看吧。
集邦咨詢近日發(fā)布報告，表示鎧俠及西部數(shù)據(jù)率先提升產(chǎn)能利用率，帶動全年NAND Flash產(chǎn)量同比增長10.9%?；谀壳暗陌l(fā)展趨勢，NAND Flash漲價將持續(xù)到2024年第2季度，部分供應商希望今年可以減少虧損、降低成本，并重新開始獲利。鎧俠和西部數(shù)據(jù)今年3月產(chǎn)能利用率恢復至近九成，其余業(yè)者均未明顯增加投產(chǎn)規(guī)模。
TrendForce集邦咨詢進一步表示，為應對下半年旺季需求，加上鎧俠/西部數(shù)據(jù)本身庫存已處低水位，本次擴大投產(chǎn)主要集中112層及部分2D產(chǎn)品，有望在今年實現(xiàn)獲利，并進一步帶動2024年NAND Flash產(chǎn)量提高10.9%。
制程方面，2024年隨著NAND Flash價格反轉(zhuǎn)，供應商的庫存水位也開始逐步降低，為了維持長期成本競爭優(yōu)勢，供應商也開始升級制程。
其中，又以三星（Samsung）和美光（Micron）最積極，預估兩家業(yè)者于今年第四季時，200層以上制程產(chǎn)出將超過四成。
以上就是關(guān)于【機構(gòu)：鎧俠及西部數(shù)據(jù)產(chǎn)能利用率將恢復至 88%，帶動 2024 年 NAND 閃存產(chǎn)量增長 10.9%】的相關(guān)內(nèi)容，希望對大家有幫助！
標簽：