消息稱三星曾計(jì)劃在美國建10nm制程DRAM內(nèi)存廠
發(fā)布日期：2024-04-17 16:30:51
導(dǎo)讀 哈嘍,阿瀾今天發(fā)現(xiàn)不少朋友對(duì)于消息稱三星曾計(jì)劃在美國建10nm制程DRAM內(nèi)存廠,這個(gè)還不是很了解，那么現(xiàn)在讓我們一起來看看吧。
三星電...
哈嘍,阿瀾今天發(fā)現(xiàn)不少朋友對(duì)于消息稱三星曾計(jì)劃在美國建10nm制程DRAM內(nèi)存廠,這個(gè)還不是很了解，那么現(xiàn)在讓我們一起來看看吧。
三星電子曾考慮在美國泰勒建設(shè)一座10nm先進(jìn)制程的DRAM內(nèi)存廠，相關(guān)商討一直持續(xù)到了協(xié)議簽署前的最后一刻。美國為該內(nèi)存廠建設(shè)計(jì)劃提供了優(yōu)厚條件，三星也對(duì)此十分積極，但由于在美國建設(shè)先進(jìn)內(nèi)存廠在技術(shù)上較為困難，成本也較高，且韓國政府表達(dá)了反對(duì)意見，最終三星電子轉(zhuǎn)而選擇在美建設(shè)先進(jìn)封裝工廠。(科創(chuàng)板日?qǐng)?bào))
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