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    GalaxyS25可能獲得更快的存儲速度UFS5.0將于2027年推出

    導讀 UFS4.0閃存已經(jīng)存在一段時間了。讀寫速度大約是UFS3.1的兩倍?,F(xiàn)在各大旗艦都在使用它,而且這種情況已經(jīng)持續(xù)了很長一段時間了。好吧,三星...

    UFS4.0閃存已經(jīng)存在一段時間了。讀寫速度大約是UFS3.1的兩倍?,F(xiàn)在各大旗艦都在使用它,而且這種情況已經(jīng)持續(xù)了很長一段時間了。好吧,三星GalaxyS25可以提高賭注,并最終提供更快的存儲。

    GalaxyS25系列可能配備更快的存儲

    三星半導體公布了一份路線圖,其中揭示了細節(jié)。明年,即2025年,三星計劃提供UFS4.04通道CS。該內存結合了兩個UFS控制器,以提高順序讀取速度。

    UFS4.04通道CS似乎將能夠達到8GB/s的速度,而當前UFS4.0存儲的速度為4GB/s。因此,速度大約是原來的兩倍。三星強調,這將有助于縮短加載時間和設備上的人工智能應用程序。

    不過,我們不確定這款內存是否適用于GalaxyS25。預計將于2025年某個時間上市,并于2024年投產(chǎn)。GalaxyS25系列預計將于2025年初發(fā)布,最有可能是在1月份,所以……還有待觀察。

    UFS5.0預計不會在2027年之前到來

    不過,根據(jù)三星的路線圖,我們必須等到2027年才能推出UFS5.0。UFS5.0將能夠提供10GB/s的速度。因此,如果一切按計劃進行,并且三星堅持其命名方案,GalaxyS27預計將首次推出這種存儲。

    考慮到UFS4.04通道CS將比UFS4.0提供相當大的提升,我們確實預計許多OEM將從明年開始使用它。許多公司在其旗艦智能手機方面選擇最快的RAM和存儲。考慮到如今旗艦智能手機的價格標簽,這是可以預料的。

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