內(nèi)存技術(shù)的圣杯通用內(nèi)存的新候選者在取代RAM和NAND的競(jìng)賽中出現(xiàn)
當(dāng)前的內(nèi)存市場(chǎng)每年價(jià)值1650億美元，主要由DRAM和NAND閃存主導(dǎo)。前者速度快、耐用性好，但不穩(wěn)定，需要不斷刷新數(shù)據(jù)。另一方面，后者是非易失性的，在斷電時(shí)保留數(shù)據(jù)，但速度較慢且編程/擦除循環(huán)耐久性較差。
ULTRARAM由英國(guó)蘭開斯特大學(xué)的子公司QuinasTechnology開發(fā)，結(jié)合??了兩者的優(yōu)點(diǎn)，提供快速、非易失性存儲(chǔ)器，具有高耐用性和超低開關(guān)能量。
該技術(shù)最近在閃存峰會(huì)上獲獎(jiǎng)，它比閃存具有更長(zhǎng)的使用壽命，與系統(tǒng)內(nèi)存的讀/寫速度相匹配，并且需要更少的功率。
ULTRARAM利用稱為諧振隧道的量子力學(xué)過程，使其能夠提供非易失性以及快速、節(jié)能的寫入和擦除功能，從而實(shí)現(xiàn)高耐用性。這種特性的組合以前被認(rèn)為是無法實(shí)現(xiàn)的，這也是為什么有些人將其稱為“存儲(chǔ)技術(shù)的圣杯”。
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ULTRARAM不是硅基材料，而是使用III-V族化合物半導(dǎo)體材料，包括銻化鎵(GaSb)、砷化銦(InAs)和銻化鋁(AlSb)。
與使用高電阻氧化物勢(shì)壘來保留電荷的閃存不同，ULTRARAM使用原子級(jí)薄層InAs/AlSb來創(chuàng)建“三重勢(shì)壘諧振隧道”(TBRT)電荷限制結(jié)構(gòu)。這使得ULTRARAM能夠在高電阻狀態(tài)和高導(dǎo)電狀態(tài)之間切換，從而賦予其獨(dú)特的性能。
ULTRARAM的能源效率無疑令人印象深刻。據(jù)報(bào)道，它的單位面積開關(guān)能量比DRAM低100倍，比閃存低1,000倍，比其他新興存儲(chǔ)器低10,000倍以上。其非破壞性讀取和非易失性進(jìn)一步增強(qiáng)了其超低能耗的特性，從而無需刷新。
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