2022年1月14日整理發(fā)布：在3nm節(jié)點(diǎn)，三星為了跟臺積電競爭，激進(jìn)地選擇了下一代的GAA晶體管技術(shù)，臺積電方面更穩(wěn)妥一些，第一代3nm工藝依然在使用FinFET工藝，好處是今年下半年就可以量產(chǎn)。

在今天的財(cái)報(bào)會(huì)上，臺積電也解釋了他們的3nm工藝的進(jìn)展，強(qiáng)調(diào)3nm工藝發(fā)展順利，正按照計(jì)劃在下半年量產(chǎn)。

臺積電強(qiáng)調(diào)，3nm繼續(xù)使用FinFET晶體管是綜合考慮在，能提供給客戶最成熟的技術(shù)、最好的效能及最佳的成本。

據(jù)臺積電官方資料顯示，臺積電的3nm相比上一代的5nm工藝，在邏輯密度上提升了1.7倍，性能提升了11%，同等性能下功耗可降低25-30%。

此外，臺積電也透漏了增強(qiáng)版的3nm工藝N3E，稱它會(huì)在3nm工藝量產(chǎn)一年后量產(chǎn)，也就是在2023年推出，會(huì)帶來更強(qiáng)的性能。

不過臺積電對N3E的技術(shù)細(xì)節(jié)還是保密，沒有透漏是否會(huì)升級晶體管架構(gòu)。

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