三星為了跟臺積電競爭激進地選擇了下一代的GAA晶體管技術(shù)
發(fā)布日期：2022-01-14 10:16:58 來源：快科技 編輯：
2022年1月14日整理發(fā)布：在3nm節(jié)點，三星為了跟臺積電競爭，激進地選擇了下一代的GAA晶體管技術(shù)，臺積電方面更穩(wěn)妥一些，第一代3nm工藝依然在使用FinFET工藝，好處是今年下半年就可以量產(chǎn)。
在今天的財報會上，臺積電也解釋了他們的3nm工藝的進展，強調(diào)3nm工藝發(fā)展順利，正按照計劃在下半年量產(chǎn)。
臺積電強調(diào)，3nm繼續(xù)使用FinFET晶體管是綜合考慮在，能提供給客戶最成熟的技術(shù)、最好的效能及最佳的成本。
據(jù)臺積電官方資料顯示，臺積電的3nm相比上一代的5nm工藝，在邏輯密度上提升了1.7倍，性能提升了11%，同等性能下功耗可降低25-30%。
此外，臺積電也透漏了增強版的3nm工藝N3E，稱它會在3nm工藝量產(chǎn)一年后量產(chǎn)，也就是在2023年推出，會帶來更強的性能。
不過臺積電對N3E的技術(shù)細節(jié)還是保密，沒有透漏是否會升級晶體管架構(gòu)。
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