開發(fā)透明且可彎曲的超薄存儲器件
基于二維 (2D) 納米材料的柔性存儲設備是下一代可穿戴市場的關(guān)鍵元素，因為它在數(shù)據(jù)存儲、處理和通信中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。用幾納米 (nm) 的二維納米材料實現(xiàn)的超薄存儲器件可以顯著提高存儲密度，從而開發(fā)出采用二維納米材料實現(xiàn)的柔性可變電阻存儲器。然而，由于納米材料的弱載流子俘獲特性，使用傳統(tǒng)二維納米材料的存儲器具有局限性。
在韓國科學技術(shù)研究院先進復合材料研究所(KIST，Yoon Seok-Jin 院長)，Dong-Ick Son 博士領(lǐng)導的研究團隊宣布開發(fā)出一種基于異構(gòu)的透明和柔性存儲設備。低維超薄納米結(jié)構(gòu)。為此，形成了單層零維(0D)量子點，并將其夾在兩個絕緣的二維六方氮化硼(h-BN)超薄納米材料結(jié)構(gòu)之間。
研究小組通過將具有優(yōu)異量子限制特性的 0D 量子點引入有源層，控制二維納米材料中的載流子，實現(xiàn)了一種可以成為下一代存儲器候選者的設備。在此基礎上，0D 量子點被塑造成垂直堆疊的復合結(jié)構(gòu)，夾在 2D 六邊形 h-BN 納米材料之間，從而產(chǎn)生透明且靈活的器件。因此，開發(fā)的設備即使在彎曲時也能保持 80% 以上的透明度和記憶功能。
Dong-Ick Son 博士表示：“我們通過提出絕緣六方 h-BN 上的量子點堆疊控制技術(shù)代替導電石墨烯，奠定了超薄納米復合結(jié)構(gòu)研究的基礎，并顯著揭示了制造和驅(qū)動原理下一代存儲設備。” 他接著補充說：“我們計劃在未來將異質(zhì)低維納米材料組成的堆棧控制技術(shù)系統(tǒng)化，并擴大其應用范圍。”
該研究發(fā)表在《復合材料 B 部分：工程》上。
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