基于二維 (2D) 納米材料的柔性存儲(chǔ)設(shè)備是下一代可穿戴市場(chǎng)的關(guān)鍵元素，因?yàn)樗跀?shù)據(jù)存儲(chǔ)、處理和通信中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。用幾納米 (nm) 的二維納米材料實(shí)現(xiàn)的超薄存儲(chǔ)器件可以顯著提高存儲(chǔ)密度，從而開發(fā)出采用二維納米材料實(shí)現(xiàn)的柔性可變電阻存儲(chǔ)器。然而，由于納米材料的弱載流子俘獲特性，使用傳統(tǒng)二維納米材料的存儲(chǔ)器具有局限性。

在韓國科學(xué)技術(shù)研究院先進(jìn)復(fù)合材料研究所(KIST，Yoon Seok-Jin 院長(zhǎng))，Dong-Ick Son 博士領(lǐng)導(dǎo)的研究團(tuán)隊(duì)宣布開發(fā)出一種基于異構(gòu)的透明和柔性存儲(chǔ)設(shè)備。低維超薄納米結(jié)構(gòu)。為此，形成了單層零維(0D)量子點(diǎn)，并將其夾在兩個(gè)絕緣的二維六方氮化硼(h-BN)超薄納米材料結(jié)構(gòu)之間。

研究小組通過將具有優(yōu)異量子限制特性的 0D 量子點(diǎn)引入有源層，控制二維納米材料中的載流子，實(shí)現(xiàn)了一種可以成為下一代存儲(chǔ)器候選者的設(shè)備。在此基礎(chǔ)上，0D 量子點(diǎn)被塑造成垂直堆疊的復(fù)合結(jié)構(gòu)，夾在 2D 六邊形 h-BN 納米材料之間，從而產(chǎn)生透明且靈活的器件。因此，開發(fā)的設(shè)備即使在彎曲時(shí)也能保持 80% 以上的透明度和記憶功能。

Dong-Ick Son 博士表示：“我們通過提出絕緣六方 h-BN 上的量子點(diǎn)堆疊控制技術(shù)代替導(dǎo)電石墨烯，奠定了超薄納米復(fù)合結(jié)構(gòu)研究的基礎(chǔ)，并顯著揭示了制造和驅(qū)動(dòng)原理下一代存儲(chǔ)設(shè)備。” 他接著補(bǔ)充說：“我們計(jì)劃在未來將異質(zhì)低維納米材料組成的堆?？刂萍夹g(shù)系統(tǒng)化，并擴(kuò)大其應(yīng)用范圍。”

該研究發(fā)表在《復(fù)合材料 B 部分：工程》上。

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