SiC晶體管性能與效率的雙重飛躍

HiPSTER 25的核心競(jìng)爭(zhēng)力在于其采用的SiC晶體管。SiC作為一種新型半導(dǎo)體材料，以其出色的耐高溫、高頻率特性和卓越的導(dǎo)電性能，成為替代傳統(tǒng)硅基材料的理想選擇。在HiPIMS系統(tǒng)中，SiC晶體管能夠承受更高的工作溫度和更快的開關(guān)速度，這直接轉(zhuǎn)化為更高的能量效率和更穩(wěn)定的工藝輸出。通過減少能量損失和熱管理挑戰(zhàn)，HiPSTER 25為用戶提供了工藝靈活性和穩(wěn)定性，確保了鍍膜過程的精確控制和質(zhì)量一致性。

雙極HiPIMS技術(shù)

作為新一代HiPIMS技術(shù)的代表，HiPSTER雙極HiPIMS裝置在專業(yè)設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)的精心打造下，展現(xiàn)了卓越的技術(shù)創(chuàng)新。雙極運(yùn)行模式是該系統(tǒng)的亮點(diǎn)之一，它允許在無需基底偏壓的情況下實(shí)現(xiàn)離子加速，簡(jiǎn)化了工藝步驟，還提升了鍍膜的質(zhì)量和均勻性。通過精確調(diào)控離子能量和方向，HiPSTER 25能夠在各種基材上實(shí)現(xiàn)更光滑、更致密的涂層，這對(duì)于提高產(chǎn)品的耐磨性、耐腐蝕性和光學(xué)性能至關(guān)重要。HiPSTER 25的另一個(gè)顯著優(yōu)勢(shì)在于其穩(wěn)定的工藝控制能力。通過集成多個(gè)工藝參數(shù)調(diào)整選項(xiàng)，用戶可以根據(jù)具體需求精細(xì)調(diào)節(jié)鍍膜過程中的各項(xiàng)參數(shù)，如氣體流量、放電電壓和脈沖頻率等。這種高度的可定制性確保了無論是硬質(zhì)涂層、光學(xué)鍍膜還是電氣涂層，都能獲得最佳的鍍膜效果。此外，系統(tǒng)支持從外部觸發(fā)多個(gè)電源，為復(fù)雜的多層鍍膜和復(fù)合結(jié)構(gòu)鍍膜提供了可能，進(jìn)一步拓寬了應(yīng)用范圍。

超快開關(guān)技術(shù)與脈沖控制

新型開關(guān)技術(shù)的引入，使得HiPSTER 25的HiPIMS脈沖頻率高達(dá)150 kHz，這是傳統(tǒng)系統(tǒng)難以企及的速度。高頻脈沖不僅能夠顯著提高鍍膜效率，還能促進(jìn)更均勻、更致密的薄膜沉積，尤其是在處理復(fù)雜三維結(jié)構(gòu)時(shí)表現(xiàn)尤為突出。增強(qiáng)的HiPIMS脈沖控制功能，使得用戶能夠精確控制脈沖的形狀、寬度和能量分布，為開發(fā)新型材料和優(yōu)化現(xiàn)有工藝的工具。

HiPSTER 25廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域和優(yōu)勢(shì)

為了進(jìn)一步提升鍍膜的穩(wěn)定性和沉積率，HiPSTER 25集成了Ionautics的反應(yīng)過程控制系統(tǒng)。該系統(tǒng)通過實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)和調(diào)節(jié)鍍膜過程中的化學(xué)反應(yīng)，確保鍍膜成分和結(jié)構(gòu)的精確控制，減少缺陷和雜質(zhì)，提高鍍膜的整體質(zhì)量和一致性。無論是反應(yīng)式HiPIMS還是其他類型的磁控管和工藝，HiPSTER 25都經(jīng)過了廣泛的測(cè)試和優(yōu)化，確保了其在各種應(yīng)用場(chǎng)景下的優(yōu)異表現(xiàn)，還具有以下優(yōu)勢(shì)：

輸出規(guī)格

輸出平均功率: < 25KW

調(diào)節(jié)模式：電壓、電流、功率、脈沖電流、脈沖電荷

脈沖充電電弧控制反應(yīng)時(shí)間：<2μs

輸?規(guī)格

輸?電壓交流：1 phase + N, 100-240 VAC, 50/60 Hz

230 V 時(shí)的輸?電流：0.3A

直流充電輸?：最?1000 V，完全浮動(dòng) +/- 1 kV kV 距地

遠(yuǎn)程通信：RS 232、RS 485、EtherCat、Proibus

單極模式（負(fù)脈沖）

輸出峰值電壓：≤1000V

輸出峰值電流：≤ 1500A

脈沖持續(xù)時(shí)間：3.5 µs ? 1000 µs

脈沖頻率：50 ? 10000 Hz

可選雙極模式（正脈沖）

輸出峰值電壓：≤250V

脈沖持續(xù)時(shí)間：≤ 1500µs

脈沖延遲：3.5µs至1000µs

可選脈沖模式直流

脈沖頻率：?達(dá) 150 kHz

1、雙極運(yùn)行：提供離子加速功能，無需額外施加基底偏壓，簡(jiǎn)化了工藝步驟并提升了鍍膜質(zhì)量。

2、多參數(shù)工藝控制：通過調(diào)節(jié)多個(gè)工藝參數(shù)，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定而強(qiáng)大的工藝控制能力，確保鍍膜過程的精確性和一致性。

3、外部觸發(fā)功能：支持從外部觸發(fā)（包括多個(gè)電源），為復(fù)雜的多層鍍膜和復(fù)合結(jié)構(gòu)鍍膜提供了靈活性和便利性。

4、高頻脈沖技術(shù)：采用新型開關(guān)技術(shù)，使HiPIMS脈沖頻率高達(dá)150 kHz，顯著提高了鍍膜效率和均勻性。

5、兼容多種磁控管和工藝：經(jīng)過多種磁控管和工藝（包括反應(yīng)式HiPIMS）的測(cè)試，確保了廣泛的適用性和兼容性。

6、Ionautics反應(yīng)過程控制：增加Ionautics的反應(yīng)過程控制系統(tǒng)，通過實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)和調(diào)節(jié)鍍膜過程中的化學(xué)反應(yīng)，提高了鍍膜的穩(wěn)定性和沉積率。

此外，HiPSTER 25還廣泛應(yīng)用于擴(kuò)散屏障和電氣涂層的制備中。通過增加涂層密度，提高了擴(kuò)散屏障的阻隔性能，有效防止了不同材料間的相互滲透。在電氣涂層方面，HiPSTER 25通過減少涂層厚度和降低熱負(fù)荷，顯著提高了導(dǎo)電材料的導(dǎo)電性，同時(shí)增強(qiáng)了絕緣體的隔離效果，為電子封裝和電力傳輸領(lǐng)域提供了高效的解決方案。在三維涂層方面，HiPSTER 25展現(xiàn)了其鍍膜均勻性，能夠在形狀復(fù)雜的基材上實(shí)現(xiàn)薄膜的均勻覆蓋，這對(duì)于航空航天、醫(yī)療器械和汽車制造等行業(yè)具有重要意義HiPSTER 25作為高性能離子鍍膜技術(shù)（HiPIMS）的杰出代表，憑借其集成的尖端碳化硅（SiC）晶體管、雙極HiPIMS技術(shù)、超快開關(guān)技術(shù)與脈沖控制，以及Ionautics反應(yīng)過程控制系統(tǒng)，已經(jīng)在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出了卓越的性能和廣泛的應(yīng)用潛力。

HiPSTER 25的成功源于Ionautics深厚的行業(yè)積累和技術(shù)創(chuàng)新，在其持續(xù)創(chuàng)新和不懈努力下，HiPSTER 25將繼續(xù)引領(lǐng)HiPIMS技術(shù)發(fā)展，為高科技材料加工和表面改性領(lǐng)域注入新活力，并成為連接全球客戶與Ionautics的橋梁，共同推動(dòng)離子鍍膜技術(shù)的不斷進(jìn)步和廣泛應(yīng)用。

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