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    三星2025年率先進入3D DRAM

    導讀 哈嘍,阿瀾今天發(fā)現(xiàn)不少朋友對于三星2025年率先進入3D DRAM,這個還不是很了解,那么現(xiàn)在讓我們一起來看看吧。   三星電子表示,2025年后...

    哈嘍,阿瀾今天發(fā)現(xiàn)不少朋友對于三星2025年率先進入3D DRAM,這個還不是很了解,那么現(xiàn)在讓我們一起來看看吧。

      三星電子表示,2025年后將進入3D DRAM時代。三星展示了兩項3D DRAM技術,包括垂直通道電晶體和堆疊DRAM。相較傳統(tǒng)電晶體結構,垂直通道電晶體將通道從水準變?yōu)榇怪?,大幅減少元件面積,但提升刻蝕精確度要求。據(jù)悉,隨著3D DRAM市場發(fā)展,有望2028年達千億美元規(guī)模。(科創(chuàng)板日報)

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