日本開發(fā)在磁場下實(shí)現(xiàn)電阻開關(guān)效應(yīng)的半導(dǎo)體器件
發(fā)布日期：2024-04-05 12:30:06
導(dǎo)讀 哈嘍,阿瀾今天發(fā)現(xiàn)不少朋友對于日本開發(fā)在磁場下實(shí)現(xiàn)電阻開關(guān)效應(yīng)的半導(dǎo)體器件,這個還不是很了解，那么現(xiàn)在讓我們一起來看看吧。
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哈嘍,阿瀾今天發(fā)現(xiàn)不少朋友對于日本開發(fā)在磁場下實(shí)現(xiàn)電阻開關(guān)效應(yīng)的半導(dǎo)體器件,這個還不是很了解，那么現(xiàn)在讓我們一起來看看吧。
日本一個研究團(tuán)隊研制出一種半導(dǎo)體納米通道器件，給這種器件施加磁場能使其電阻值發(fā)生高達(dá)250倍的變化。這種現(xiàn)象未來有望用于開發(fā)新型電子元器件等。相關(guān)論文已發(fā)表在國際學(xué)術(shù)期刊《先進(jìn)材料》上。(新華社)
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