全球先進存儲技術(shù)的領(lǐng)導者三星電子今天宣布，已開始批量生產(chǎn)業(yè)界首款用于旗艦智能手機的512 GB eUFS(嵌入式通用閃存)3.1。三星的新eUFS 3.1的寫入速度是以前的512GB eUFS 3.0移動存儲器的三倍，打破了智能手機存儲中1GB / s的性能門檻。

“隨著我們引入最快的移動存儲，智能手機用戶將不再需要擔心傳統(tǒng)存儲卡所面臨的瓶頸，”三星電子存儲器銷售與市場營銷執(zhí)行副總裁Cheol Choi表示。“新的eUFS 3.1反映了我們對支持全球智能手機制造商今年迅速增長的需求的持續(xù)承諾。”

三星512GB eUFS 3.1的連續(xù)寫入速度超過1,200MB / s，其速度是基于SATA的PC(540MB / s)的兩倍以上，是UHS-I microSD卡(90MB / s)的十倍以上)。這意味著，在沒有任何緩沖的情況下，將8K視頻或數(shù)百張大尺寸照片等海量文件存儲在智能手機中時，消費者可以享受超薄筆記本的速度。將內(nèi)容從舊手機傳輸?shù)叫略O(shè)備的時間也將大大減少。裝有新eUFS 3.1的電話僅需約1.5分鐘即可移動100GB數(shù)據(jù)，而基于UFS 3.0的電話則需要四分鐘以上。

就隨機性能而言，512GB eUFS 3.1的處理速度比廣泛使用的UFS 3.0版本快60%，每秒可提供100,000個輸入/輸出操作(IOPS)，而寫入則可提供70,000 IOPS。

除了512GB選項外，三星還將為旗艦智能手機提供256GB和128GB容量。

三星本月開始在其位于中國西安的新生產(chǎn)線(X2)上開始批量生產(chǎn)第五代V-NAND，以完全滿足旗艦和高端智能手機市場的存儲需求。該公司很快計劃將其在韓國平澤線(P1)的V-NAND批量生產(chǎn)從第五代轉(zhuǎn)移到第六代V-NAND，以更好地滿足不斷增長的需求。

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