墊腳石被放置以幫助旅行者穿越溪流。只要有連接兩岸的踏腳石，走幾步就可以輕松渡過。使用相同的原理，POSTECH的一個研究團隊開發(fā)了一種技術(shù)，該技術(shù)通過使用戰(zhàn)略性放置的納米粒子將半導體設(shè)備的功耗降低了一半。

由POSTECH的JunwooSon教授和MingukCho博士(材料科學與工程系)領(lǐng)導的一個研究小組通過插入鉑納米粒子成功地最大限度地提高了氧化物半導體器件的開關(guān)效率。該研究的結(jié)果最近發(fā)表在《自然通訊》上。

具有金屬-絕緣體相變的氧化物材料，當達到閾值電壓時，材料的相從絕緣體迅速轉(zhuǎn)變?yōu)榻饘?，被認為是制造低功率半導體器件的關(guān)鍵材料。

當幾納米寬的絕緣體疇轉(zhuǎn)變?yōu)榻饘佼爼r，就會發(fā)生金屬-絕緣體相變。關(guān)鍵是要降低施加到器件上的電壓幅度，以提高半導體器件的開關(guān)效率。

研究小組通過使用鉑納米粒子成功地提高了設(shè)備??的開關(guān)效率。當向設(shè)備施加電壓時，電流“跳過”這些粒子并發(fā)生快速相變。

該設(shè)備的記憶效應(yīng)也增加了超過一百萬倍。一般來說，在切斷電壓后，這些器件會立即變?yōu)闆]有電流流過的絕緣體階段;這個持續(xù)時間非常短，只有百萬分之一秒。然而，已經(jīng)證實，關(guān)于器件先前燒制的記憶效應(yīng)可以增加到幾秒鐘，并且由于鉑納米顆粒附近殘留的金屬域，器件可以在相對較低的電壓下再次運行。

預計這項技術(shù)對于開發(fā)下一代電子設(shè)備至關(guān)重要，例如智能半導體或神經(jīng)形態(tài)半導體設(shè)備，它們可以以更少的功率處理大量數(shù)據(jù)。

　　免責聲明：本文由用戶上傳，與本網(wǎng)站立場無關(guān)。財經(jīng)信息僅供讀者參考，并不構(gòu)成投資建議。投資者據(jù)此操作，風險自擔。 如有侵權(quán)請聯(lián)系刪除！